碳化硅晶舟產(chǎn)品介紹：

碳化硅晶舟（SiC Boat）是以高純度碳化硅（SiC，純度＞99.9990%）為基材，通過無壓燒結(jié)（RBSC）工藝制成的晶圓承載工具，3D打印一體成型，無需模具，數(shù)控機床加工或者線切割加工齒槽，無毛刺，不會劃傷硅片。專為半導(dǎo)體、光伏、LED等精密制造領(lǐng)域設(shè)計。其核心功能是在高溫、腐蝕性環(huán)境中穩(wěn)定承載硅片、晶圓或其他基板，廣泛應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積（CVD）、擴散、退火等工藝。  

性能特點  

1. 環(huán)境穩(wěn)定性  

耐高溫：長期工作溫度達1350~1600℃，短期可耐受1800℃（如碳化硅單晶生長爐），高溫下無軟化變形。  

抗熱震性：熱膨脹系數(shù)低（4.5×10??/℃），可承受快速升降溫（如從室溫至1200℃的急變循環(huán)）。  

2. 超高純度與低污染  

材料雜質(zhì)含量＜0.01ppm（如金屬雜質(zhì)Fe、Al＜1ppb），避免硅片污染；  

表面光潔度Ra＜0.1μm，減少顆粒物附著，適配半導(dǎo)體7nm以下先進制程。  

3. 機械性能  

高承載強度：抗彎強度＞2500MPa，單舟可承載100片以上12英寸晶圓；  

耐腐蝕性：耐受HCl、HF等刻蝕氣體及熔融硅侵蝕，壽命較石英晶舟延長58倍。  

4. 節(jié)能與長壽命  

導(dǎo)熱系數(shù)達45W/(m·K)，熱量分布均勻，減少工藝能耗；  

典型應(yīng)用場景  

1. 半導(dǎo)體制造  

CVD/擴散工藝：承載硅片完成氧化層、多晶硅或氮化硅薄膜沉積；  

離子注入：耐高溫離子轟擊環(huán)境，保障摻雜均勻性。  

2. 光伏產(chǎn)業(yè)  

TOPCon/HJT電池生產(chǎn)：用于LPCVD設(shè)備中硅片繞鍍與鈍化層制備；  

PERC電池退火：在高溫爐中完成背鈍化與金屬化工藝。  

3. LED與第三代半導(dǎo)體  

GaN外延生長：在MOCVD反應(yīng)室中承載藍寶石襯底，耐受NH?等腐蝕性氣體；  

碳化硅單晶生長：作為籽晶承載架，耐受熔融硅高溫腐蝕環(huán)境。  

4. 新能源與科研領(lǐng)域  

鋰電池材料燒結(jié)：承載正極材料（如三元材料）完成高溫固相反應(yīng)；  

核工業(yè)：用于放射性材料高溫處理，兼具耐輻射與耐腐蝕特性。